Auszüge PB Beschluss „Entwicklung weiterer Kapazitäten für die Forschung und Entwicklung der Mikroelektronik in den Kombinaten VEB Carl Zeiss JENA und VEB Kombinat Mikroelektronik“ vom 11. 2. 1986

1. Zum  VEB Zentrum für Forschung und Technologie Mikroelektronik Dresden:

In der 1. Etappe sind die Kräfte auf die Entwicklung einer Technologie für das Strukturniveau 1,5 µm zu konzentrieren, um daraus die erforderlichen technologischen Einzelverfahren sowohl für die nSGT- als auch CMOS-Technik ableiten zu können.Auf dieser Grundlage besteht im Rahmen der wissenschaftlich-technischen Zusammenarbeit mit der UdSSR des Ziel, bis 1988 einen dynamischen Schreib/Lesespeicher 256 kDRAM zu entwickeln. Auf der Grundlage der forcierten Entwicklung der CMOS-Technologie sind bis 1990/91 die Entwicklung des dynamischen 1 Mbit-Speicherschaltkreises abzuschließen und die Voraussetzungen für die Pilotproduktion zu schaffen. In enger Verbindung mit der Technologieentwicklung sind die erforderlichen technologischen Spezialausrüstungen für das Technologieniveau 1,5 µm und die nächste Technologiegeneration von 1,0 µm zu entwickeln und zu produzieren. Für ausgewählte Bedarfsträger sind im Zeitraum bis 1990 komplette  Kundenschaltkreise bereitzustellen. Die in den Anwenderkombinaten vorgesehenen Gate-array-Zentren sind so zu entwickeln, daß schrittweise die Komplettierung zu Kundenschaltkreisen übernommen und damit der VEB Zentrum für Forschung und Technologie Mikroelektronik Dresden entlastet werden kann. (Zur Bedarfsdeckung)..ist nach 1990 ein Produktionskomplex als Bestandteil des Forschungszentrums Mikroelektronik des Kombinates VEB Carl Zeiss JENA am Standort Dresden zur Herstellung der 1 M-bit-Bauelemente zu errichten, das Forschungs- und Entwicklungspotential weiterzuentwickeln mit dem Ziel, den 4 M-bit-Speicher zu produzieren. Für ausgewählte Bedarfsträger sind im Zeitraum bis 1990 komplette  Kundenschaltkreise bereitzustellen. Die in den Anwenderkombinaten vorgesehenen Gate-Array-Zentren sind so zu entwickeln, daß schrittweise die Komplettierung zu Kundenschaltkreisen übernommen und damit der VEB Zentrum für Forschung und Technologie Mikroelektronik Dresden entlastet werden kann.

2.   „Der Aufbau des weiteren Forschungszentrums der Mikroelektronik der DDR erfolgt am Ort des Stammbetriebes des VEB Kombinat Mikroelektronik in Erfurt im Betriebsteil Erfurt Süd-Ost beginnend 1986/87.

Das neue Forschungszentrum ist im Zeitraum bis 1990 und darüber hinaus auf den weiteren Ausbau des Entwurfs, der Verfahrens- und Technologieentwicklung für Mikroprozessoren, programmierbare Speicher, Logik-Schaltkreise sowie darin festgelegten Sortimentserweiterung zu profilieren. zu entwickeln mit dem Ziel, den 4 M-bit-Speicher zu produzieren. Das neue Forschungszentrum ist im Zeitraum bis 1990 und darüber hinaus auf den weiteren Ausbau des Entwurfs, der Verfahrens- und Technologieentwicklung für Mikroprozessoren, programmierbare Speicher, Logik-Schaltkreise sowie darin festgelegten Sortimentserweiterung zu profilieren. Darin eingeschlossen sind die erforderlichen komplexen Leistungen der Produktionsvorbereitung, Erzeugnis- und Technologiepflege, der Rationalisierung der am Standort Erfurt existierenden Produktionskapazitäten für die Massenproduktion von unipolaren Schaltkreisen. Auf der Grundlage dieser Technologien wird vorgeschlagen, bis 1989 die Entwicklung eines schnellen 16 bit- und bis 1990/91 eines 32 bit- Mikroprozessorsystems abzuschließen.